前言

GH4169 是一種鎳基沉淀強(qiáng)化型高溫合金[1-3]，通過加入其他合金強(qiáng)化元素，進(jìn)而達(dá)到 650 ℃以上使用的具有良好的高溫抗拉強(qiáng)度、塑性以及優(yōu)異耐腐蝕性能的合金，目前廣泛應(yīng)用于航空發(fā)動機(jī)、渦輪葉片和化工領(lǐng)域[4-9]。隨著我國航空航天以及軍事國防的不斷發(fā)展，對于發(fā)動機(jī)以及其他高端產(chǎn)品的成型工藝、使用性能和成本經(jīng)濟(jì)的要求日趨嚴(yán)苛，傳統(tǒng)的鑄造以及焊接方法無法承載GH4169 零件日益復(fù)雜化和滿足大尺寸工件的性能要求。電子束熔絲增材制造技術(shù)是以高能束電子流為熱源，直接轟擊工件或者絲材表面，將動能轉(zhuǎn)換為熱能進(jìn)而實(shí)現(xiàn)增材制造的工作過程。與激光增材制造相比，其具有材料利用率高、成型近乎純凈、不受模具束縛以及反射率低等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于復(fù)雜零件以及大型零件的制造中[10]，同時(shí)因?yàn)殡娮邮劢z增材制造是在真空環(huán)境下進(jìn)行的，杜絕了空氣中氧、氮、氫等有害氣體的影響，成型件的表面質(zhì)量較高[11]。

對于電子束熔絲增材制造，國內(nèi)外學(xué)者進(jìn)行了諸多研究并且成果顯著。Helmer H[12] 等人研究了電子束選區(qū)熔化 718 鎳基合金的晶粒結(jié)構(gòu)演變，發(fā)現(xiàn)通過改變掃面路徑和局部受熱溫度可以改變 718鎳基合金在選區(qū)熔化過程中的晶粒結(jié)構(gòu)。王寧寧等人[13] 對電子束熔絲增材制造 TC11 鈦合金顯微組織及力學(xué)性能進(jìn)行了研究，發(fā)現(xiàn)電子束增材后的合金組織表現(xiàn)為高強(qiáng)度、低塑性、高韌性。童邵輝[14] 等人對電子束選區(qū)制造TC4 鈦合金的組織和斷裂性能進(jìn)行了研究，發(fā)現(xiàn)不同加載方向的斷裂性能有所不同，垂直方向受到柱狀晶的影響具有明顯的各向異性，水平方向的斷裂韌度大于沉積方向的斷裂韌度。由此可見，合金零件各向異性會對零件的力學(xué)性能產(chǎn)生巨大影響，嚴(yán)重限制了合金的應(yīng)用范圍。電子束熔絲增材制造GH4169 各向異性方面國內(nèi)外學(xué)者鮮有報(bào)道。文中通過電子束熔絲增材制造GH4169 沉積塊，分析GH4169 沉積塊的各向異性，研究組織演化規(guī)律以及成分偏析對GH4169 沉積試樣塊力學(xué)性能的影響，旨在為電子束熔絲增材制造GH4169 組織以及性能提供理論指導(dǎo)，對電子束熔絲增材制造技術(shù)的發(fā)展及應(yīng)用范圍的擴(kuò)大具有重要意義。

1、 試驗(yàn)材料與方法

1.1 試驗(yàn)材料

GH4169 沉積態(tài)試樣塊是由SST-KS15-PN150KM型中壓電子束焊機(jī)熔絲增材制造的，尺寸為85mm×45mm×33mm。實(shí)驗(yàn)材料為GH4169 焊絲（φ=0.8），具體成分如表 1 所示。選用 304 不銹鋼作為基板，化學(xué)成分如表 2 所示。試驗(yàn)前用砂紙打磨基板，然后用丙酮進(jìn)行清洗，保證基板表面清潔。

1.2 試驗(yàn)方法

在固定電壓60 kV 的條件下，采用多道多層的熔絲方式，且保證每層冷卻時(shí)間為15min，具體工藝參數(shù)如表 3 所示。

電子束沉積塊送絲路徑示意如圖 1 所示。采用多道多層的逐層打印方式，制造出尺寸為85mm×50mm×33mm的沉積塊。將成形后的試樣塊沿著平行于送絲方向和垂直于送絲方向截取金相試樣，沿送絲方向（Ds）、沉積高度方向（Dd）、水平方向（Dt）三個(gè)方向取拉伸試樣，拉伸速率均采用 1 mm/min，并取平均值。

沉積態(tài)組織經(jīng)過線切割、打磨后，進(jìn)行化學(xué)腐蝕，侵蝕劑為CuCl2（2 g）+HCl（40 mL）+C2H5OH（40 mL）溶液，腐蝕時(shí)間10s，利用 MR5000 型倒置金相顯微鏡觀察多道多層沉積試樣組織，采用 401MVD 顯微硬度計(jì)測量沉積塊的顯微硬度，用EDS 測定合金元素分布及偏析情況。

2 、結(jié)果與分析

2.1 沉積態(tài)組織

電子束流 20 mA 下的熔絲增材GH4169 多道多層顯微組織如圖 2 所示。從圖 2a 可以明顯看出，電子束熔絲增材制造GH4169 沉積態(tài)組織柱狀晶并不是嚴(yán)格按照垂直于沉積方向垂直向上生長的，而是向上且偏向送絲方向，同時(shí)沿著沉積方向外延生長貫穿層帶。從圖 2b、2c、2d 也可以看出，電子束熔絲制造GH4169 合金各個(gè)沉積層都表現(xiàn)出明顯的層帶組織，每層以冶金結(jié)合的方式緊密結(jié)合在一起，不僅保證了沉積態(tài)組織的強(qiáng)度，同時(shí)也保證了柱狀晶生長的連續(xù)性。隨著層數(shù)的增加，枝晶愈加粗大，一次臂逐漸加大，到頂層二次臂逐漸發(fā)達(dá)。同一高度不同成形方向的顯微組織低倍下的掃面電鏡圖如圖 3 所示。其中圖 3b、3c 中的柱狀晶與上面描述的相同，并不是嚴(yán)格的垂直生長而是存在一定傾斜，枝晶間連續(xù)分布著白色條狀Laves 相與彌散析出的碳化物相。而圖 3a 的組織為等軸γ枝晶，呈現(xiàn)類“ 十字形 ”，這說明樹枝晶的二次枝晶臂逐漸發(fā)達(dá)，同時(shí)在等軸γ 枝晶間有細(xì)小的Laves相顆粒析出，形貌與圖 3b、3c 有所不同。

2.2 沉積態(tài)組織分析

電子束熔絲增材GH4169 沉積態(tài)同一高度不同成形方向的掃描電鏡組織如圖 4 所示。可以看出，電子束熔絲增材制造GH4169 組織有明顯的各向異性，查閱相關(guān)文獻(xiàn)[15] 可知，GH4169 合金凝固過程先后會析出L→γ+L→（γ+Nbc）+L→γ+L→γ+Laves。

由圖可知，電子束熔絲增材GH4169 顯微組織的枝晶間析出了大量Laves 相，由圖 4a 可知，枝晶間存在大量的島鏈狀Laves 相，其方向與沉積方向相同，同時(shí)伴有MC 碳化物彌散析出。由圖 4b、4c 明顯看出，同一高度方向上不同方向上析出的Laves 相明顯增多。這是由于電子束在真空條件下工作，成型件的熱量只有很小部分以輻射形式散失，大部分由基板向下傳導(dǎo)，但是隨著層數(shù)的增加，多道多層的送絲方式使得沉積塊體積不斷加大, 導(dǎo)致熱量不僅是向下傳導(dǎo)，而且可以由平行于掃面方向和垂直于送絲方向進(jìn)行傳遞，并且熱量的不斷累積，導(dǎo)致枝晶間析出大量不規(guī)則 Laves 相，雖然硬脆 Laves 相在基體中會起到一定的第二相強(qiáng)化作用，但是數(shù)量較多且不規(guī)則的Laves 可能會嚴(yán)重降低沉積試樣的力學(xué)性能，使得沉積試樣各向異性明顯增加，無法滿足現(xiàn)實(shí)生活中復(fù)雜的使用條件。

島鏈狀和白色顆粒顯微組織的EDS 能譜圖如圖 5 所示，對析出相進(jìn)行點(diǎn)掃描，對圖 5a 中島鏈狀的白色組織進(jìn)行元素分析，發(fā)現(xiàn)Nb 元素含量較高，由此可以確定白色島鏈狀的是Laves 相；圖 5b 是進(jìn)一步放大，對析出的白亮狀細(xì)小析出相的元素分析，發(fā)現(xiàn)其C、Nb 含量較高，因此白亮狀細(xì)小析出相為NbC 相。

電子束熔絲增材制造 GH4169 合金 EDS 線掃描的結(jié)果示意如圖 6 所示，發(fā)現(xiàn)元素在上下的分布較為一致。由圖 6b、6c 可知，在沉積高度方向以及平行于送絲方向中的Nb、Mo 元素都有突然的上升區(qū)域，說明沉積態(tài)在同一層內(nèi)以及沿沉積方向上均有Nb 和Mo 元素的偏析，同一層的組織與成分也是不均勻的，反映出成形合金同一層內(nèi)以及沿沉積方向上枝晶間及枝干處的Laves 相在不同位置有所差異，同一層內(nèi) Laves 相同樣存在差異，沿沉積方向上Laves 相有明顯增加趨勢。

沉積態(tài)GH4169 的X 射線衍射分析結(jié)果譜圖如圖 7 所示。可以看出，電子束熔絲增材制造GH4169的γ 基體組織取向極強(qiáng)，在分析試樣上獲得了 111γ與 200γ 以及 220γ 晶面的衍射峰以及Laves 的衍射峰。而在MC 碳化物以及γ''Ni3Nb 中并未檢測到，這可能是γ 基體的取向性太強(qiáng)導(dǎo)致的，也可能是X 射線的角度問題以及含量相對較少導(dǎo)致未能檢測到其他相存在。

2.3 沉積態(tài)合金性能研究

電子束熔絲增材制造GH4169 不同成形方向面的顯微硬度如圖 8 所示，測試點(diǎn)間距 0.5 mm。由圖8a 可知，沿沉積高度方向的顯微硬度不斷升高，達(dá)到峰值約 550 HV，然后大部分硬度值趨于此，隨后緩慢下降至最小值約 350 HV。這是由于Laves 相是硬脆相，對硬度影響較大，而且在真空條件下進(jìn)行導(dǎo)致熱量不斷累積，起到了時(shí)效處理的作用，達(dá)到γ" 的析出溫度范圍。而硬度下降是因?yàn)闊崃肯蛳聜鬟f使得上面的溫度無法達(dá)到析出強(qiáng)化相的溫度范圍，只有Laves 相的單一強(qiáng)化。圖 8b 為同一水平高度的顯微硬度值，硬度只在很小范圍內(nèi)波動，約 30HV，平均硬度約 425 HV，反映出同一水平層的組織較為均勻，有所波動是因?yàn)長aves 相的形貌問題。

EDS 線掃描Nb 分布正好反映了這一點(diǎn)，除個(gè)別位置外同一層Laves 分布是較為均勻的。 電子束熔絲增材制造GH4169 合金常溫下沿送絲方向（Ds）、沉積高度方向（Dd）、水平方向（Dt）三個(gè)方向的拉伸應(yīng)力應(yīng)變曲線如圖 9 所示。可以看出，沿沉積高度方向的拉伸強(qiáng)度最低，與激光增材制造的結(jié)果類似[16]。且電子束熔絲增材制造GH4169 表現(xiàn)出明顯的各向異性的特點(diǎn)。沿沉積高度的方向抗拉強(qiáng)度最大值約為 700 MPa，低于高溫合金鍛件的常溫抗拉強(qiáng)度。送絲方向和水平方向的試樣拉伸強(qiáng)度較高。這是因?yàn)檠刂徒z方向拉伸時(shí)，沉積態(tài)中柱狀晶與拉伸方向垂直，起到阻礙變形的作用，導(dǎo)致強(qiáng)度高而塑性低；而在進(jìn)行沿沉積高度方向拉伸時(shí)，柱狀晶與拉伸方向近乎平行，幾乎沒有起到阻礙變形的作用，表現(xiàn)為強(qiáng)度低而塑性高。

Ds、Dd、Dt 三個(gè)成形方向的拉伸斷口形貌如圖10 所示，斷口處發(fā)現(xiàn)明顯趨向性的韌窩和撕裂棱。

圖 10a 為典型的等軸韌窩斷裂形貌，小而彌散的Laves 相導(dǎo)致穿晶斷裂；圖 10b、圖 10c 中試樣的拉伸斷口仍表現(xiàn)出明顯的各向異性，沿枝晶生長方向的拉伸斷口具有取向明顯的韌窩，因?yàn)橹L方式排列較為規(guī)則，所以試樣斷裂后留下了規(guī)則排列的韌窩組織，島鏈狀連續(xù)的Laves 相導(dǎo)致脆性與韌性的混合斷裂。

3、 結(jié)論

（1）電子束熔絲增材制造 GH4169 沉積態(tài)組織在沉積高度方向（Dd）、水平方向（Dt）為傾斜向上生長的柱狀晶，枝晶間存在大量的Laves 條帶以及彌散析出的碳化物相。隨著層數(shù)的增加，枝晶間的Laves 條愈加連續(xù)；沿送絲方向（Ds）為等軸類“ 十字形 ”的γ 枝晶，枝晶間分布著細(xì)小的Laves 相顆粒。成形態(tài)GH4169 合金的枝晶間與枝干處存在不同的元素偏析，F(xiàn)e、Cr 和Ni 等元素主要偏析部位在枝干，而Nb、Ti 和Si 等主要偏析于枝晶間。

（2）多道多層沉積試樣塊沿高度方向的顯微硬度表現(xiàn)出明顯的上升趨勢，顯微硬度先上升然后在較長距離內(nèi)在波動較小，最后迅速下降。水平方向硬度均表現(xiàn)出小范圍波動。成形態(tài)合金沿沉積方向拉伸強(qiáng)度最低，而沿著送絲方向和水平方向相對較高，約 800 MPa，整體塑性較高。小而彌散的Laves相導(dǎo)致穿晶斷裂，島鏈狀連續(xù)的Laves 相導(dǎo)致脆性與韌性的混合斷裂。

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